书 书 书犐犆犛 ２９ ． ０４５ 犎 ８２ /G21 /G22 /G23 /G24 /G25 /G26 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A 犌犅 ／ 犜 ５２３８ — ２０１９ /G21 /G22 ＧＢ ／ Ｔ５２３８ — ２００９ /G21 /G22 /G23 /G24 /G21 /G22 /G23 /G25 犕狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲犵犲狉犿犪狀犻狌犿犪狀犱犿狅狀狅犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲犵犲狉犿犪狀犻狌犿狊犾犻犮犲狊 ２０１９  ０６  ０４ /G26 /G27 ２０２０  ０５  ０１ /G28 /G29 /G27 /G28 /G2B /G2C /G2D /G2E /G2F /G30 /G31 /G32 /G21 /G27 /G27 /G28 /G29 /G2A /G33 /G2F /G30 /G34 /G35 /G36 /G26 /G27 书 书 书前 　　 言 　　 本标准按照 ＧＢ ／ Ｔ１．１ — ２００９ 给出的规则起草 。 本标准代替 ＧＢ ／ Ｔ５２３８ — ２００９ 《 锗单晶和锗单晶片 》。 与 ＧＢ ／ Ｔ５２３８ — ２００９ 相比 ， 除编辑性修改外主要技术变化如下 ： ——— 修订了标准适用范围 ， 将 “ 外延衬底 ” 改为 “ 红外光学部件 ”（ 见第 １ 章 ， ２００９ 年版的第 １ 章 ）； ——— 规范性引用文件中删除了 ＧＢ ／ Ｔ１５５２ 、 ＧＢ ／ Ｔ５２５４ ， 增加了 ＧＢ ／ Ｔ１５５５ 、 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 、 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 、 ＧＢ ／ Ｔ２６０７４ （ 见第 ２ 章 ， ２００９ 年版的第 ２ 章 ）； ——— 增加了术语和定义 （ 见第 ３ 章 ）； ——— 修订了牌号表示方法 （ 见 ４．１ ， ２００９ 年版的 ３．２ ）； ——— 增加了非掺杂锗单晶的要求 （ 见第 ４ 章 ）； ——— 断面电阻率不均匀度改为径向电阻率变化 ， 并修订了其要求 （ 见 ４．２．３ ， ２００９ 年版的 ３．３．１．１ ）； ——— 修订了电阻率小于 １．０ Ω · ｃｍ 锗单晶的少数载流子寿命要求 （ 见 ４．２．４ ， ２００９ 年版的 ３．３．１．２ ）； ——— 修订了锗单晶晶体完整性的要求 （ 见 ４．２．６．１ ， ２００９ 年版的 ３．３．１．４ ）； ——— 修订了直径 １０ｍｍ ～ １００ｍｍ 锗单晶的直径相对允许偏差的要求 （ 见 ４．２．７ ， ２００９ 年版的 ３．３．２．１ ）； ——— 增加了直径大于 １００ｍｍ 锗单晶的要求 （ 见 ４．２．７ ）； ——— 删除了长度的要求 （ 见 ２００９ 年版的 ３．３．２．１ ）； ——— 增加了锗单晶表面质量的要求 （ 见 ４．２．８ ）； ——— 修订了锗单晶片几何参数的要求 （ 见 ４．３．２ ， ２００９ 年版的 ３．３．２．２ ）； ——— 修订了锗单晶片表面质量的要求 （ 见 ４．３．３ ， ２００９ 年版的 ３．３．３ ）； ——— 修订了组批 、 检验项目 、 取样及检验结果的判定 （ 见第 ６ 章 ， ２００９ 年版的第 ５ 章 ）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ） 与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 （ ＳＡＣ ／ ＴＣ２０３ ／ ＳＣ２ ） 共同提出并归口 。 本标准起草单位 ： 中锗科技有限公司 、 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 、 广东先导稀材股份有限公司 、 有色金属技术经济研究院 、 北京合能阳光新能源技术有限公司 。 本标准主要起草人 ： 柯尊斌 、 刘新军 、 惠峰 、 朱刘 、 尹士平 、 杨素心 、 肖宗镛 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 ： ——— ＧＢ ／ Ｔ５２３８ — １９８５ 、 ＧＢ ／ Ｔ５２３８ — １９９５ 、 ＧＢ ／ Ｔ５２３８ — ２００９ ； ——— ＧＢ ／ Ｔ１５７１３ — １９９５ 。 Ⅰ 犌犅 ／ 犜 ５２３８ — ２０１９ 锗单晶和锗单晶片 １ 　 范围 本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求 、 试验方法 、 检验规则 、 标志 、 包装 、 运输 、 贮存 、 质量证明书及订货单 （ 或合同 ） 内容 。 本标准适用于制备半导体器件 、 激光器组件 、 红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片 。 ２ 　 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。 凡是注日期的引用文件 ， 仅注日期的版本适用于本文件 。 凡是不注日期的引用文件 ， 其最新版本 （ 包括所有的修改单 ） 适用于本文件 。 ＧＢ ／ Ｔ１５５０ 　 非本征半导体材料导电类型测试方法 ＧＢ ／ Ｔ１５５３ 　 硅和锗体内少数载流子寿命测定 　 光电导衰减法 ＧＢ ／ Ｔ１５５５ 　 半导体单晶晶向测定方法 ＧＢ ／ Ｔ２８２８．１ — ２０１２ 　 计数抽样检验程序 　 第 １ 部分 ： 按接收质量限 （ ＡＱＬ ） 检索的逐批检验抽样计划 ＧＢ ／ Ｔ５２５２ 　 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 　 半导体材料术语 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 　 半导体材料牌号表示方法 ＧＢ ／ Ｔ２６０７４ 　 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 ３ 　 术语和定义 ＧＢ ／ Ｔ１４２６４ 界定的术语和定义适用于本文件 。 ４ 　 要求 ４ ． １ 　 牌号 锗单晶和锗单晶片的牌号表示应符合 ＧＢ ／ Ｔ１４８４４ 的规定 。 ４ ． ２ 　 锗单晶 ４ ． ２ ． １ 　 导电类型 锗单晶的导电类型分 Ｎ 型 、 Ｐ 型两种 。 ４ ． ２ ． ２ 　 电阻率 锗单晶的电阻率应符合表 １ 的规定 。 １ 犌犅 ／ 犜 ５２３８ — ２０１９ 表 １ 导电类型 掺杂剂电阻率 ρ （ ２３℃±０．５℃ ） Ω · ｃｍ Ｐ 型 Ｇａ ０．００１ ～ ４５．０ Ｉｎ ０．００１ ～ ４５．０ Ａｕ＋Ｇａ （ Ｉｎ ） ０．５ ～ ５．０ Ｎ 型 Ｓｂ ０．００１ ～ ４５．０ 非掺杂 ３５．０ ～ ５０．０ ４ ． ２ ． ３ 　 径向电阻率变化 锗单晶的径向电阻率变化应符合表 ２ 的规定 。 表 ２ 直径 犱 ｍｍ 径向电阻率变化 （ 绝对值 ） １０ ≤ 犱 ＜ ５０ ≤ １０％ ５０ ≤ 犱 ＜ １００ ≤ １５％ １００ ≤ 犱 ＜ １５０ ≤ ２０％ １５０ ≤ 犱 ＜ ２００ ≤ ２５％ ２００ ≤ 犱 ≤ ３００ ≤ ３０％ 　　 注 ： 直径指未滚圆锗单晶的尺寸 。 ４ ． ２ ． ４ 　 少数载流子寿命 锗单晶的少数载流子寿命应符合表 ３ 的规定 。 表 ３ 电阻率 ρ Ω · ｃｍ 少数载流子寿命 μ ｓ Ｎ 型 Ｐ 型 ０．００１ ≤ ρ ＜ １．０ — ＞ １ １．０ ≤ ρ ＜ ２．５ ≥ １００ ≥ ８０ ２．５ ≤ ρ ＜ ４．０ ≥ １５０ ≥ １２０ ４．０ ≤ ρ ＜ ８．０ ≥ ２２０ ≥ ２００ ８．０ ≤ ρ ＜ １６．０ ≥ ３５０ ≥ ３００ １６．０ ≤ ρ ≤ ５０．０ ≥ ６００ ≥ ５００ ２ 犌犅 ／ 犜 ５２３８ — ２０１９