ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29506—2013 300mm硅 单晶抛光片 300mmpolishedmonocrystallinesiliconwafers 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。 ⅠGB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 1 范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm规格的硅单晶抛光片 的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足 集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T19922 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504 300mm硅单晶 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T29508 300mm硅单晶切割片和磨削片 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 1GB/T29506—2013 4 要求 4.1 物理性能参数 硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合GB/T29504的要求。 4.2 几何参数及表面要求 硅抛光片的几何参数应符合表1的要求。硅抛光片所有在表1中未列出的参数规格,由供需双方 协商解决。 表1 300mm硅抛光片几何尺寸参数及表面质量 项 目 指 标 硅片厚度(中心点)/μm 775 厚度允许偏差/μm ±20 总厚度变化/μm ≤ 1.5 翘曲度/μm ≤ 45 总平整度(TIR)/μm ≤ 1.0 局部平整度(SFQR)(25mm×25mm)/μm ≤ 0.10 局部光散射体LLSs (正表面)/(个/cm2)≥0.12μm < 80 ≥0.16μm < 40 ≥0.2μm < 15 表面金属含量/(原 子数/cm2)Cu/Cr/Fe/Ni ≤ 1.0×1010 Al/Zn/K/Na/Ca ≤ 5.0×1010 体金属(铁)含量/(原子数/cm3) ≤ 5.0×1010 4.3 晶体完整性 4.3.1 晶体完整性应符合GB/T29504的要求。 4.3.2 氧化诱生缺陷与晶体完整性、抛光工艺等诸多因素有关,氧化诱生缺陷指标由供需双方协商 确定。 4.4 表面取向 硅抛光片的表面取向及表面取向偏离应符合GB/T29508的要求。 4.5 基准标记 硅抛光片的切口基准轴取向及尺寸应符合GB/T29508的要求。 4.6 直径及直径允许公差 硅抛光片的直径及直径允许公差应符合GB/T29508的规定。 2GB/T29506—2013