ICS L45 31.260 DB35 福 建 省 地 方 标 准 DB35/T 1370—2013 发光二极管芯片点测方法 Probe test method for light emitting diode chips 2013-12-04 发布 福建省质量技术监督局 2014-03-01 实施 发 布 DB35/T 1370—2013 目 次 前言 ............................................................................... III 1 范围 .............................................................................. 1 2 规范性引用文件 .................................................................... 1 3 术语和定义 ........................................................................ 1 4 芯片点测条件及步骤 ................................................................ 2 4.1 点测条件 ...................................................................... 4.1.1 试验条件 .................................................................. 4.1.2 点测仪器 .................................................................. 4.1.3 点测芯片状态 .............................................................. 4.1.4 点亮条件 .................................................................. 4.1.5 驱动方式 .................................................................. 4.2 点测步骤 ...................................................................... 5 电参数点测 ........................................................................ 5 5.1 5.2 5.3 6 正向电压 ...................................................................... 5 反向电压 ...................................................................... 5 反向电流 ...................................................................... 5 光参数点测 ........................................................................ 5 6.1 6.2 6.3 6.4 7 2 2 3 3 3 5 5 发光强度 ...................................................................... 辐射功率 ...................................................................... 峰值发射波长、光谱带宽、相对光谱功率分布和重心波长 ............................ 主波长和刺激纯度 .............................................................. 5 5 6 6 静电放电敏感性点测 ................................................................ 6 7.1 7.2 人体模式的静电放电敏感性 ...................................................... 6 机器模式的静电放电敏感性 ...................................................... 6 参考文献 ............................................................................. 7 I DB35/T 1370—2013 前    言 本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起 草。 本标准由福建省半导体发光器件（LED）应用产品标准化技术委员会归口。 本标准起草单位：厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协 会、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心。 本标准主要起草人：蔡伟智、梁 奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、 兰国政。 II DB35/T 1370—2013 发光二极管芯片点测方法 1 范围 本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 5698-2001 颜色术语 GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分：光电子器件（IEC 60747-5:1992， IDT） SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法 SJ/T 11395-2009 半导体照明术语 SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 3 术语和定义 GB/T 5698-2001、GB/T 15651-1995及SJ/T 11395-2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 点测 probe test 对芯片光电性能和参数自动检测的方法。采用自动程控测试仪器以探针接触形式，对按一定规则排 列的芯片进行瞬态测试，并能按每一颗芯片的位置形成参数分布图。 3.2 参数分布图 mapping file mapping图 点测芯片后按芯片的位置形成用颜色表示光电参数测试值的彩色图。 3.3 瞬态测试 transient test 采用毫秒级脉冲通电驱动点亮芯片，在短时间内，通过程控测试仪器自动读取相关光电参数值的测 试结果，并可同时完成多个光电参数的检测。 3.4 收光器 photoreceiver 点测中用来采集被测芯片发光强度或辐射功率的仪器部件。 3.5 1 DB35/T 1370—2013 载片卡盘 chuck 点测中用来承载芯片，并可提供芯片背面电极电性接触的底盘。 3.6 点墨针 ink pin 对不符合参数要求的芯片点涂墨汁的装置。 3.7 蓝膜 blue tape 呈蓝色带有粘性可用来承载或保存芯片的薄膜。 3.8 水平结构芯片 lateral LED chip P、 N 电极都在出光面的芯片，也称同侧电极结构芯片。 3.9 垂直结构芯片 vertical LED chip P、N 电极分别在正背（上下）两面的芯片，也称非同侧电极结构芯片。 3.10 标准样品 reference material 用来校对芯片光电参数值的样品。 4 芯片点测条件及步骤 4.1 点测条件 4.1.1 4.1.1.1 试验条件 标准大气条件 标准大气条件如下： a) 温度：20℃ ～ 30℃ ； b) 相对湿度：45% ～ 75%； c) 气压：86 kPa ～ 106 kPa。 4.1.1.2 仲裁试验的标准大气条件 仲裁试验的标准大气条件如下： a) 温度：（25 ± 1） ℃ ； b) 相对湿度：48% ～ 52%； c) 气压：86 kPa ～ 106 kPa。 4.1.1.3 其它环境条件 测试的环境条件如下： a) 测试前，应放置样品达到温度平衡； b) 测量环境应无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等干扰； c) 测量系统应接地良好。 2 DB35/T 1370—2013 4.1.2 点测仪器 点测设备的不确定度应符合相关规范的技术要求并检定合格。在检定周期内，应按相关操作规程进 行测量。 4.1.3 点测芯片状态 点测的水平结构芯片应已完全切割划裂且呈晶圆状态排列在蓝膜之上。点测的垂直结构芯片应处于 顶电极相互隔离，底电极相连的状态排列在晶圆之上。 4.1.4 点亮条件 4.1.4.1 通则 发光二极管芯片间距、芯片与探针的相对方向、探针材质、针尖半径、针压、收光器等影响点测精 度，因此点亮和测试芯片时应做出规定，保证能得到稳定可靠的测试数据。 4.1.4.2 点测探针 应规定点测探针的材质、探针针尖半径、点测针座接线方式、露出夹针座的针长和针压。 点测中，露出夹针座的针长一般范围为5 m m～7m m，示意图见图1；针压应使测试针痕长度在 25μ m ～30μ m（最佳工作状态）。 说明： 1——点测探针; 2——夹针座。 图1 4.1.4.3 点测探针示意图 点墨针（需要时） 应规定点墨针的材质、规格、点墨针高度及点墨针和点测探针的相对位置（点测中以不影响点墨针 和点测探针同时工作且遮光少为准）；点墨针距芯片的距离宜不低于1m m。 4.1.4.4 芯片 4.1.4.4.1 芯片间距（水平结构芯片） 芯片间距宜为产品尺寸的（1.2±0.1）倍，见图2。 注1：测试时，芯片本身对测试结果有影响。如