ICS 65. 020. 20 CCS B62 DB53 云南省地 電方 電标准 DB53/T 1144—2023 鼓槌石斛盆花生产技术规程 地方标准信息服务平台 2023 －02 －23 发布 2023－05－23 实施 云南省市场监督管理局 发布 地方标准信息服务平台 DB53/T 1144—2023 前言 本文件按照GB/T 1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 DB53/T1144《鼓槌石斛盆花生产技术规程》与GB/T18247.2《盆花产品等级标准》、NY/T1656.3 《花卉检验技术规范第3部分：盆花检验》、NY/T591《切花石斛兰》、LY/T2675《石斛种质鉴定技 术规范》及LY/T3099《主要商品热带兰花种苗栽培技术与质量等级》等共同构成支撑云南省鼓槌石斛 盆花产业的产业标准体系。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由云南省农业科学院花卉研究所提出。 本文件由云南省花卉标准化技术委员会（YNTC08）归口。 本文件起草单位：云南省农业科学院花卉研究所、玉溪澄花生物科技有限公司、龙陵县林源石斛开 发有限公司、文山春之兰生物科技有限公司、龙陵石斛研究所、农业部花卉产品质量监督检验测试中心 （昆明）、云南云科花卉有限公司、云南省花卉育种重点实验室、云南省花卉工程技术研究中心、昆明 市花卉遗传改良重点实验室、国家观赏园艺工程技术研究中心。 本文件主要起草人：李涵、曹桦、陆琳、王丽花、丁长春、李绅崇、陶翔、李慧敏、苗振、李仕柳、 杨平、拔立超、李志华、周莹。 地方标准信息服务平台 I 地方标准信息服务平台 DB53/T 1144—2023 鼓槌石斛盆花生产技术规程 1范围 本文件规定了鼓槌石斛盆花生产的全过程，包括种苗生产、设施设备、栽培管理、花期调控、包装、 标志及运输的技术要求。 本文件适用于鼓槌石斛盆花的生产，其他类型石斛盆花生产可参照执行。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 8321.1～8321.7农药合理使用准则(1～7部分) LY/T 1589花卉术语 NY/T 496肥料合理使用准则 通则 NY/T 2306花卉种苗组培快繁技术规程 3术语和定义 LY/T1589界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 假鳞茎pseudobulb 鼓槌石斛变态茎粗短而肥厚，有节，叶生于节上。 3. 2 花芽flower bud 在假鳞茎节处与叶片相对的部位萌发的绿豆状凸起，通常每个花芽可分化为1个～3个花序。 3.3 休止叶last leaf 服务平台 生长在假鳞茎顶部，其叶鞘包围的圆锥状节，节上偶见急剧缩小的叶形片状体。 4缩略语 下列符号、代号和缩略语适用于本文件。 GA3：赤霉素（Gibberellic acid） IBA：吲哚丁酸（Indole-3-butyric acid） MS：Murashige and Skoog，培养基发明人名字的缩写，是组织培养中常用的基本培养基（组分及 配制方法按照NY/T2306执行） NAA：萘乙酸（1-Naphthylacetic acid） 6-BA：6-苄氨基腺嘌呤（6-Benzyl aminopurine） 1 DB53/T 1144—2023 5种苗生产 5.1种苗类型 种苗以无菌萌发组培苗为主，分株苗及扦插苗也可以使用。 5.2萌发组培苗培育 5.2.1 果荚灭菌 鼓槌石斛人工授粉后240d～260d，在超净工作台上用3%的过氧化氢灭菌10min～15min后，无菌 水清洗3次。上述灭菌重复3次后，用无菌手术 刀切开果荚， 再用无菌手术镊夹取果荚内种子，均匀平铺 于诱导培养基上。诱导培养基配方为MS+6 部 NAA mg·L+香蕉泥50g·L-+ 土豆泥25 g·L- + 蔗糖30 gL＋ 琼脂7.0 gL。 管 5.2.2原球茎诱导 种子接种到诱导培养基后， C的条件下暗培养20 d～30 d，原球茎膨大，培 养50 d～60 d原球茎分化成丛生 地方标 5.2.3继代培养 将丛生芽接种于继代培养基 NAA 蕉泥50g·L-+土豆泥25g·L-l ＋ 蔗糖30 gLl ＋ 琼脂7.0 gL 在光照 000 度为25℃±2℃的条件下, 继代培养50d～60 d，继代次数不超过10次 5.2.4生根培养 选择具2枚以上叶片、植株高度=m的小苗， 生根培养 基 （MS+NAA 0. 5 mg · L-I + IBA 燕糖30g·L 琼脂 在光照强度为1800 lux～ d后即生根出苗 标 6设施设备 宜选择南北坐向的钢架结构塑料栅膜温室。 备（排风扇为宜）、栽培床架（苗床用钢结构架， 面50cm 70cm，苗床底层用带小网孔形塑料板 材）、灌溉施肥系统、防虫设备（温室外围具有40目的防虫 息服务平 7栽培管理 7.1温室杀菌 7.1.1栽培前15 d，将温室内环境温度提高至50 ℃～60 ℃，持续进行 4 d进行封闭灭菌。 7.1.2栽培前15d，用喷雾设备向苗床及地面喷施70%多菌灵可湿性粉剂1000倍液进行消毒，每隔3 d消毒一次，持续消毒3次。 7.2基质准备 2 DB53/T 1144—2023 栽培基质采用优质水苔和腐熟树皮等，种植前用自来水充分浸泡，去掉水苔中的硬枝、杂草、杂物 等，甩干后备用。小苗采用水苔种植，中苗、大苗采用树皮种植，不同苗龄鼓石斛种植基质要求见表 1。 表1 不同苗龄鼓槌石斛种植基质要求 树皮 碎石 水苔 生长阶段 规格 规格 比例 规格 比例 比例 (直径：cm) (直径：cm) (长： cm) 组培苗出瓶炼苗 ≥>3 100% 6月龄苗 0.5～~1 1009 部 6月龄至1年龄中苗 1~2 40% 1年龄～2年龄及以上 2 大苗 60% 7. 3 ：容器选择 不同苗龄的鼓槌石斛种苗 次塑料营养钵（透明塑料营差钵为宜）中，并用育苗托盘固定摆放。 钵及 盘的要求见表2 也 不同规格鼓槌石斛种苗对营 表2 不同规格鼓槌石斛种苗对营养钵及育苗托盘要求 序号 塑料 育苗托盘规格 43.4 cmX26 cmX5.2 cm 冠幅≤5 15孔 呷数为6) 42.5 cmX32 cmX5.6 cm 2 5 cm<冠幅≤12 cm 12孔 3 冠幅≥12 cm, 总 万大苗 12 cm 7.4炼苗 整瓶组培生根瓶苗移至室外散射 下整齐摆放炼苗3周 炼苗温度20℃～28℃，光照强度8000 lux～15000 lux。光照强度逐渐增加。 _周要求8000 1ux～10000 lux，第三周要求10000 1ux～ 息服务平 15000lux，并保持环境洁净 7.5种植管理 7. 5. 1 小苗种植 炼苗结束后，从组培瓶内将生根苗取出，洗净根部培养基，放入质量浓度为5%～10%的多菌灵溶液 中浸泡15min，置于阴凉洁净处控水至根系泛白，分级后用水苔包裹根系种植于盆径6cm的软塑盆中， 温室保持通风。宜选用苗长≥3cm，根长≥3cm，生根数目≥5条的健康小苗为宜。 7.5.2中苗种植 3