ICS31.030 L90 中华人民共和国国家标准 GB/T14619—2013 代替GB/T14619—1993 厚 膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 Aluminaceramicsubstratesforthickfilmintegratedcircuits 2013-11-12发布 2014-04-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准替代GB/T14619—1993《厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》,与GB/T14619—1993相比主 要的技术变化如下: ———增加了术语和产品标识(见第3章和第4章); ———增加了对采用标称氧化铝含量表示基片类型时,实际氧化铝含量值的要求(见4.3); ———增加了凹坑的直径(见表1); ———增加了非96%氧化铝瓷的分类,并给出了指标(见表5); ———增加了孔的要求(见5.2.2); ———细化了划线后基片尺寸指标的要求(见5.2.3); ———对基片翘曲度的测试进行了详细说明(见附录A)。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由中国电子技术标准化研究院归口。 本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院。 本标准主要起草人:曹易、李晓英。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T14619—1993。 ⅠGB/T14619—2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 1 范围 本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和 贮存。 本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购,采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝 陶瓷基片(以下简称基片)也可参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T1958 产品几何量技术规范(GPS) 形状和位置偏差检测规定 GB/T2413 压电陶瓷材料体积密度测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T2829 周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查) GB/T5593 电子元器件结构陶瓷材料 GB/T5594.3 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法 GB/T5594.4 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介电常数和介质损耗角正切值的测试 方法 GB/T5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法 GB/T5594.7 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 透液性测试方法 GB/T5598 氧化铍瓷导热系数测定方法 GB/T6062 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 接触(触针)式仪器的标称特性 GB/T6569 精细陶瓷弯曲强度试验方法 GB/T6900 铝硅系耐火材料化学分析方法 GB/T9531.1—1988 电子陶瓷零件技术条件 GB/T16534—2009 精细陶瓷室温硬度试验方法 GJB548B—2005 微电子器件试验方法和程序 GJB1201.1—1991 固体材料高温热扩散率测试方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 氧化铝陶瓷基片 aluminaceramicsubstrate;aluminasubstrate 可在其表面印制导体图形、膜元件或粘贴电子元器件的一种片状氧化铝陶瓷支撑物,简称基片。 1GB/T14619—2013 3.2 划线 scribing 采用激光或其他切割手段,在基片的表面预划刻的一条或多条线,形成了由分切片(3.3)构成的 联片。 3.3 分切片 scribedsegment 沿预划刻的线条掰开联片后,可获得的一个或多个外形符合工艺要求的基片或成膜基片。 3.4 裂纹 crack 未使基片完全破碎的、宽度比长度小得多的断裂痕。 3.5 瓷疱 blister 基片表面上破碎后可形成凹坑的疱。 3.6 凸脊 ridge 基片表面上长而窄的凸起。 3.7 毛刺 burr 基片表面上,由自身材料或外来颗粒形成的短小凸起。 3.8 划痕 scratch 基片表面上,长而窄的凹槽、刮擦或削切痕。 3.9 缺损 chip 边缘或角的一部分从基片上脱落后,留下的缺陷。 3.10 凹坑 pit 存在于基片表面的孔或凹陷。 4 标识 4.1 概述 基片用五组带下划线的符号(字母或数字)标识,各组数字之间用短横线隔开,标识示例如下: A 基片材质代号(见4.2) 96 基片氧化铝含量(见4.3)-020 基片标称厚度(见4.4)-Ⅲ 基片外形尺寸公差范围(见4.5)-030 基片表面粗糙度(见4.6) 注:如供需双方商定产品允许偏差不属于表2规定的级,可用“X”标识。 2GB/T14619—2013 4.2 基片材质 氧化铝制基片用字母“A”表示。 4.3 氧化铝含量 基片的标称氧化铝百分含量,用3位数表示。第1位数字表示十位;第2位数字表示个位;第3位 数字表示小数点后第一位,如小数点后第1位数值为零,可省略不写。例如,96表示基片的标称氧化铝 含量为96.0%。当采用氧化铝含量对产品进行标记或命名时,产品的实际氧化铝含量不应低于其标记 中所示的含量值,如96瓷的氧化铝含量应不小于96%。 4.4 基片标称厚度 基片标称厚度用3位数表示。第1位数字表示毫米,第2位数字表示十分之一毫米,第3位数字 表示百分之一毫米。例如,020表示基片的标称厚度为0.20mm(见表2)。 4.5 基片外形尺寸偏差范围 基片外形尺寸的偏差范围用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ表示(见表2)。 4.6 基片表面粗糙度 基片上将要印制导体图形或无源元件的一个表面的粗糙度(Ra)。粗糙度用3位数表示,第1位数 字表示微米,第2位数字表示十分之一微米,第3位数字表示百分之一微米。例如,030表示基片的表 面粗糙度为0.30μm。如对基片的两个表面的表面质量都有要求,则基片标识由供需双方商定。 5 要求 5.1 外观 除非另有规定,基片外观应符合表1的规定。 表1 外观a 项目 典型示例最大允许值 mm最大允许值个数 个/10cm2测试方法 章条号 裂纹 不允许 不允许 瓷疱 不允许高于0.025 16.5.8 3GB/T14619—2013 表1(续) 项目 典型示例最大允许值 mm最大允许值个数 个/10cm2测试方法 章条号 凸脊 不允许高于0.025 1 毛刺 不允许高于 0.011 划痕 不允许深于 0.0151 缺损 伸入印刷表面深度 (W)应小于0.5; 缺损深度应小于基 片厚度一半1 凹坑 凹坑直径应 小于0.18; 凹坑深度应 小于0.081 斑点锈斑直径应小于0.1mm 色斑直径应小于0.3mm 暗斑直径应小于0.4mm6.5.8 a每5cm2面积上瓷疱、毛刺、凹坑三项缺陷不能同时存在。激光划线后,允许基片表面存在不影响电路图形成 形的长度不大于0.125mm的微裂纹。 5.2 结构尺寸和偏差 5.2.1 基片标称厚度和外形尺寸的偏差范围 基片的标称厚度应符合表2的规定。除非另有规定,基片外形尺寸的允许偏差应符合表2要求。 4GB/T14619—2013 表2 基片标称厚度和外形尺寸的偏差范围 项目 标称尺寸允许偏差a Ⅰ级 Ⅱ级 Ⅲ级测试方法 章条号 长度、宽度 (L)—±0.3%L (但不小于 ±0.05mm)±0.8%L (但不小于 ±0.10mm)±1%L (但不小于 ±0.10mm)6.5.1 厚度0.1mm~ 3.0mm±7% (但不小于 ±0.025mm)±9% (但不小于 ±0.05mm)±10% (但不小于 ±0.05mm)6.5.2 翘曲度 —不大于 0.05/25(长)不大于 0.08/25(长)不大于 0.1/25(长)6.5.3 垂直度(基片) —长度的0.3% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.4% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.5% (但不小于 ±0.1mm) 平行度(基片) —长度的0.3% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.4% (但不小于 ±0.1mm)长度的0.5% (但不小于 ±0.1mm)6.5.4 a如产品允许偏差由供需双方商定,可用“X”表示其偏差级别。 5.2.2 孔及其偏差 5.2.2.1 孔径及偏差范围 除非另有规定,基片上孔的直径以及偏差应符合表3的规定。 表3 基片上孔的直径及偏差范围 孔径范围r mm允许偏差测试方法 章条号 r≤0.7 ±0.050mm 0.7<r<2.5 ±0.1mm r≥2.5 ±1%6.5.5 5.2.2.2 孔的位置及偏差 除另有规定,孔边缘与基片边缘或孔与孔的间距不应小于基片厚度的1.2倍。当采用激光打孔时, 基片边缘至孔中心的距离不小于基片厚度。孔与孔间隔的尺寸偏差不应超过±1%,但不小 于±0.05mm。 5.2.3 激光分切陶瓷基片的偏差范围 除非另有规定,厚膜集成电路用基片划线后偏差应符合表4的规定。 5GB/T14619—2013 表4 划线偏差范围 项目 允许偏差测试方法 章条号 基片掰开前的 划线偏差划线边缘与第一 条划线间的尺寸+0.3mm -0.06mm 划线线条间的 位置±0.05mm6.5.6 基片掰开后 两对应分切片间的偏差+0.4mm -0.06mm6.5.7 垂直度(分切片) 长度的0.1% 6.5.4 平行度(分切片) 长度的0.1% 6.5